Здесь может быть Ваша реклама

2baksa.ws2baksa.ws
Помощь сайту | Donate
Webmoney
Webmoney WMZ: 826074280762
Webmoney WME: 804621616710
PayPal
E-mail E-mail
YooMoney
YooMoney4100117770549562
Помощь проекту
Спасибо за поддержку!
Поиск по сайту
Вход на сайт
Меню
Последние комментарии
21:33 | ExaFlop
06:57 | eduard33
06:51 | eduard33
06:49 | eduard33
09:46 | diim
18:57 | diim
16:19 | Assur
15:58 | Pepa112
21:17 | Trashman
12:57 | mxhxbug
07:20 | Haul2006
19:15 | Carhel
16:53 | mrjok
09:17 | m4657
03:20 | Haul2006
16:36 | eduard33
14:52 | tinbin
08:05 | m4657
17:32 | marlon
16:13 | tinbin
Заказ рeклaмы

Купите у нас
рекламу !

Your advertising could be here !


E-mail для связи:
E-mail для связи
Партнёры
Для вас работают
Правила для авторов новостей >>
admin diim (админ)
admin brodyga (админ)
admin marlon
admin leteha
admin Ledworld
admin Mansory1
admin Masarat
admin manivell17
admin Sanchezzz
admin sibius777
admin Sergv


Флэш-память уменьшили до предела
Новость от: brodyga
Просмотров: 3178
Cколько электронов потребуется для сохранения 1 бита информации в микросхемах флэш-памяти? Разработчики из компании Infineon cчитают, что для этого достаточно 100 электронов. Их новая разработка позволяет существенно уменьшить размеры ячейки памяти, а емкость самих микросхем памяти увеличить в переспективе до 32 Гбайт. Микросхемы энергонезависимой памяти используются в огромном количестве цифровых устройств, таких как цифровые фотокамеры, видеокамеры, съемные компьютерные диски. Наиболее совершенные на нынешний день устройства имеют емкость хранения данных в 4 Гбайт. Поперечный размер элементарной ячейки памяти при этом составляет 90 нм, и при попытке дальнейшего сокращения характерных размеров ячейки исследователи сталкивались с неизбежными ограничениями, возникающими из-за физических эффектов, действующих на наноуровне. В частности, считалось, что создать ячейку с размерами 20 нм практически невозможно из-за крайней ненадежности хранения информации в такой ячейке.

Тем не менее, выход нашелся. Исследователи в Infineon отошли от традиционной плоской схемы и создали трехмерную структуру для ячейки памяти, с ребром, разделяющим границы ячейки. Такая геометрия минимизирует нежелательные эффекты и улучшает возможности контроля за зарядом, сохраняющемся в ячейке. Новое устройство получило название FinFET (Fin Field Effect Transistor). В ячейке памяти информация сохраняется зарядами электронов, которые находятся в нитридном слое между кремниевым ребром и электродом затвора (управляющим электродом). Размеры кремниевого ребра — 8 нм, затвора — 20 нм. Ученые утверждают, что FinFET-транзисторы будут исключительно надежным элементом хранения информации. В нынешних микросхемах для хранения одного бита нужно около 1000 электронов. В новом FinFET-транзисторе достаточно будет 100 электронов — чуть меньше электронов содержит 1 атом золота.

Уважаемые пользователи nowa.cc и 2baksa.ws. У нас сложилось тяжёлое финансовое положение. Мы работаем для вас вот уже более 15 лет и сейчас вынуждены просить о помощи. Окажите посильную поддержку проектам. Мы очень надеемся на вас. Реквизиты для переводов ниже.
Webmoney Webmoney WMZ: 826074280762 Webmoney WME: 804621616710
PayPal PayPal_Email E-mail для связи по вопросу помощи
Кошелек для вашей помощи YooMoney 4100117770549562
YooMoney Спасибо за поддержку!

Раздел: Железо | 15.01.05 | 02:02

Внимание! Всегда проверяйте анти-вирусом файлы, полученные по ссылкам в комментариях!
Attention! Always check files you download from links in comments with your anti-virus software!
Для добавления комментариев необходимо зарегистрироваться на сайте
Здесь может быть Ваша реклама
Здесь может быть Ваша реклама
Design by DolpHin | Disclaimer
Реклама | E-mail для связи: E-mail для связи | Skype: diim_diim | ICQ: 400632